Тиристоры и IGBT модули ND261N26K

Дискретные полупроводниковые модули 2600V 410A

Производитель: Infineon Technologies AG

Тип Корпуса

BG-PB50ND-1

Напряжение изоляции, кВ

V DRM (V RRM ), В

2600

I TSM (I FSM ), кА

8.3

I TAVM (I FAVM ), А

260

T раб , °C min

-40

T раб , °C max

150

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!

Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!

Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.

Описание

Купить Тиристоры и IGBT модули ND261N26K от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Тиристоры и IGBT модули ND261N26K оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Тиристоры и IGBT модули ND261N26K формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Тиристоры и IGBT модули ND261N26K от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru

Популярные в разделе

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

    
			Тиристоры и IGBT модули CM200HA-24H

				Силовые полупроводники / Тиристоры и IGBT модули
	
CM200HA-24H

					по запросу
			
			Тиристоры и IGBT модули FZ1800R17HP4_B9

				Силовые полупроводники / Тиристоры и IGBT модули
	
FZ1800R17HP4_B9

					по запросу
			
			Тиристоры и IGBT модули FS225R12KE4

				Силовые полупроводники / Тиристоры и IGBT модули
	
FS225R12KE4

					по запросу
			
			Тиристоры и IGBT модули BSM600GA120DLCS

				Силовые полупроводники / Тиристоры и IGBT модули
	
BSM600GA120DLCS

					по запросу

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во