Силовой МОП-транзистор , N Канал, 600 В, 51 А, 0.047 Ом, TO-247, Through Hole
The STW55NM60ND is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
The worldwide best RDS (ON) amongst the fast recovery diode device
100% Avalanche tested
Low gate input resistance
High dV
dt and avalanche capabilities
Области применения
Промышленное, Управление Питанием Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы STW55NM60ND от ST Microelectronics оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы STW55NM60ND оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы STW55NM60ND формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы STW55NM60ND от ST Microelectronics и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru