Силовой МОП-транзистор , N Канал, 600 В, 17 А, 0.17 Ом, TO-247, Through Hole
The STW21NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Extremely high dV
dt and avalanche capabilities
Области применения
Промышленное, Управление Питанием Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы STW21NM60ND от ST Microelectronics оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы STW21NM60ND оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы STW21NM60ND формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы STW21NM60ND от ST Microelectronics и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru