Силовой МОП-транзистор , N Канал, 200 В, 31 А, 0.082 Ом, TO-220AB, Through Hole
The IRFB31N20DPBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
Low gate to drain charge to reduce switching loss
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Surface mount
Области применения
Управление Питанием Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы IRFB31N20DPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы IRFB31N20DPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы IRFB31N20DPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы IRFB31N20DPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru