Двойной МОП-транзистор , P Канал, 55 В, 3.4 А, 0.105 Ом, SOIC, Surface Mount
The IRF7342D2PBF is a dual P-channel MOSFET offers the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Combining this technology with low forward drop Schottky rectifier's results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications. The package has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
Co-packaged HEXFET® power MOSFET and Schottky diode
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы IRF7342D2PBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы IRF7342D2PBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы IRF7342D2PBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы IRF7342D2PBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru