Силовой МОП-транзистор , N Канал, 60 В, 84 А, 0.0085 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
The IRF1010EZSPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
Advanced process technology
Ultra low on-resistance
Dynamic dV
dt rating
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
175°C Operating temperature
Области применения
Авто Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы IRF1010EZSPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы IRF1010EZSPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы IRF1010EZSPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы IRF1010EZSPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru