Силовой МОП-транзистор , N Канал, 100 В, 55 А, 0.026 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
The FQB55N10 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы FQB55N10 от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы FQB55N10 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы FQB55N10 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы FQB55N10 от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru