Силовой МОП-транзистор , P Канал, 25 В, 120 мА, 7.9 Ом, SOT-23, Surface Mount
The FDV302P is a P-channel logic level enhancement-mode Digital FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one P-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors such as the DTCx and DCDx series.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation
Gate-source Zener for ESD ruggedness, >6kV human body mode
Compact industry standard surface-mount package
Replace many PNP digital transistors (DTCx and DCDx) with one DMOS FET
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы FDV302P от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы FDV302P оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы FDV302P формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы FDV302P от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru