Двойной МОП-транзистор , N и P Дополнение, 25 В, 500 мА, 0.45 Ом, SC-70, Surface Mount
The FDG6321C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Very small package outline
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить MOSFET силовые транзисторы FDG6321C от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить MOSFET силовые транзисторы FDG6321C оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на MOSFET силовые транзисторы FDG6321C формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
MOSFET силовые транзисторы FDG6321C от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru