Силовой МОП-транзистор , N Канал, 30 В, 26 А, 0.0038 Ом, SOIC, Surface Mount
The STS26N3LLH6 is a DeepGATE™ N-channel Power MOSFET utilizes the 6th generation of design rules of STripFET™ VI technology, with a new gate structure. The device exhibits lowest RDS (ON) in all packages.
RDS (ON) x Qg industry benchmark
Extremely low ON-resistance RDS (ON)
Very low switching gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
-55 to 150°C Operating junction temperature range
Области применения
Управление Питанием, Промышленное Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор STS26N3LLH6 от ST Microelectronics оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор STS26N3LLH6 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор STS26N3LLH6 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор STS26N3LLH6 от ST Microelectronics и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru