Силовой МОП-транзистор , P Канал, 30 В, 8 А, 0.015 Ом, SOIC, Surface Mount
The SI4435DYPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор SI4435DYPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор SI4435DYPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор SI4435DYPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор SI4435DYPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru