Силовой МОП-транзистор , N Канал, 80 В, 39 А, 0.0225 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
The IRLR2908TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
Advanced process technology
Ultra-low ON-resistance
Dynamic dV
dt rating
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Logic level
Области применения
Управление Питанием Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор IRLR2908TRLPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор IRLR2908TRLPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор IRLR2908TRLPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор IRLR2908TRLPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru