Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
IRF7389PBF

МОП-транзистор IRF7389PBF

Двойной МОП-транзистор , N и P Дополнение, 30 В, 7.3 А, 0.023 Ом, SOIC, Surface Mount
The IRF7389PBF is a 30V dual N-channel and P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
  • Generation V technology
  • Complimentary half bridge
  • Surface mount
  • Fully avalanche rated

Области применения

Управление Питанием
Производитель: Infineon Technologies AG
Номер по каталогу производителя
IRF7389PBF
Линейка Продукции
-
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Полярность Транзистора
N и P Дополнение
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Непрерывный Ток Стока
7.3А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.023Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Transistor Mounting
Surface Mount
полное описание

1.36 €

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор IRF7389PBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор IRF7389PBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор IRF7389PBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор IRF7389PBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.