Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
IRF7341GTRPBF

МОП-транзистор IRF7341GTRPBF

Двойной МОП-транзистор , N Канал, 55 В, 5.1 А, 0.043 Ом, SOIC, Surface Mount
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
  • Advanced process technology
  • Dual N-channel MOSFET
  • Ultra-low on-resistance
  • 175°C operating temperature
  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Производитель: Infineon Technologies AG
Номер по каталогу производителя
IRF7341GTRPBF
Линейка Продукции
HEXFET
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
-
Полярность Транзистора
N Канал
Рассеиваемая Мощность
1.7Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Непрерывный Ток Стока
5.1А
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.043Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Transistor Mounting
Surface Mount
полное описание

1.85 €

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор IRF7341GTRPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор IRF7341GTRPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор IRF7341GTRPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор IRF7341GTRPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.