Силовой МОП-транзистор , N Канал, 60 В, 84 А, 0.0085 Ом, TO-220AB, Through Hole
The IRF1010EZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор IRF1010EZPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор IRF1010EZPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор IRF1010EZPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор IRF1010EZPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru