Силовой МОП-транзистор , N Канал, 150 В, 130 А, 0.0052 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
The IPB065N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Excellent switching performance
World's lowest RDS (ON)
Very low Qg and Qgd
Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
MSL1 rated 2
Increased efficiency
Highest power density
Less paralleling required
Smallest board-space consumption
Easy-to-design products
Normal level
Qualified according to JEDEC for target applications
Halogen-free, Green device
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Авто, Связь и Сеть, Аудио
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор IPB065N15N3GATMA1 от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор IPB065N15N3GATMA1 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор IPB065N15N3GATMA1 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор IPB065N15N3GATMA1 от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru