Силовой МОП-транзистор , N Канал, 600 В, 12 А, 0.53 Ом, TO-220, Through Hole
The FDP12N60NZ is a N-channel UniFET™ II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest ON-state resistance among the planar MOSFET and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Low gate charge (26nC)
Low Crss (12pF)
100% avalanche tested
Improved dV/dt capability
ESD improved capability
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Связь и Сеть, Освещение, Потребительская Электроника
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить МОП-транзистор FDP12N60NZ от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить МОП-транзистор FDP12N60NZ оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на МОП-транзистор FDP12N60NZ формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
МОП-транзистор FDP12N60NZ от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru