Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IRG4RC10KDTRPBF

БТИЗ транзистор , 9 А, 2.39 В, 38 Вт, 600 В, TO-252AA, 3 вывод(-ов)

Производитель: Infineon Technologies AG

Номер по каталогу производителя

IRG4RC10KDTRPBF

Линейка Продукции

Максимальная Рабочая Температура

150°C

Стандарты Автомобильной Промышленности

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

DC Ток Коллектора

9А

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

2.39В

Рассеиваемая Мощность

38Вт

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252AA

полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!

Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!

Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.

Описание

Купить Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IRG4RC10KDTRPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IRG4RC10KDTRPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IRG4RC10KDTRPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IRG4RC10KDTRPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru

Популярные в разделе

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

    
			Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIXA101W1200EH

					    Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
		
	MIXA101W1200EH

		по запросу
		
			Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXBN75N170

					    Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
		
	IXBN75N170

		по запросу
		
			Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA70I1200NA

					    Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
		
	IXA70I1200NA

		по запросу
		
			Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFS150B12N3E4P_B11

					    Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
		
	IFS150B12N3E4P_B11

		по запросу

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во