Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
FS50R07W1E3B11ABOMA1

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FS50R07W1E3B11ABOMA1

БТИЗ массив и модульный транзистор , Six Pack [Full Bridge], 70 А, 1.45 В, 205 Вт, 150 °C, Module
Производитель: Infineon Technologies AG
Номер по каталогу производителя
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Линейка Продукции
EasyPACK
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Ток Коллектора
70А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.45В
Рассеиваемая Мощность
205Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Максимальная Температура Перехода Tj
150°C
Стиль Корпуса Транзистора
Module
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
полное описание

41.36 €

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FS50R07W1E3B11ABOMA1 от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FS50R07W1E3B11ABOMA1 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FS50R07W1E3B11ABOMA1 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FS50R07W1E3B11ABOMA1 от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.