Микросхемы и комплектующие N25Q128A11ESE40G.

Флеш память , NOR, Последовательная NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, SPI, WSOIC, 8 вывод(-ов)

N25Q128A11ESE40G является последовательной NOR Flash памятью с возможностью программной блокировки записи через энергозависимую или энергонезависимую функции защиты. Шаг энергозависимой защиты 64КБ. Это высокопроизводительное устройство Flash памяти с несколькими I/O на основе технологии NOR 65нм. Оно оснащено функциональностью «выполнение на месте» (XIP), расширенными механизмами защиты от записи и совместимым с SPI высокоскоростным интерфейсом высокоскоростной шины. Инновационные, высокопроизводительные команды двойных и четверных I/O позволяют увеличить пропускную способность передачи в 2Х или 4Х для операций считывания и программирования. Память организована по секторам 64КБ, которые далее делятся на 16 подсекторов. За раз можно стереть один подсектор 4КБ, сектор 64КБ или всю память целиком.

• Инструкции двойного/четверного I/O обеспечивают увеличенную пропускную способность до 432МГц
• Операция приостановления считывания/записи
• Минимум 100000 циклов стирания на сектор
• Удержание данных более 20 лет

Области применения

Связь и Сеть