Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
JR28F064M29EWLA.

Микросхемы и комплектующие JR28F064M29EWLA.

Флеш память , NOR, Параллельная NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)
The JR28F064M29EWLA is a 64MB asynchronous parallel NOR Flash EMBedded Memory manufactured on 65nm single-bit cell (SBC) technology. READ, ERASE and PROGRAM operations are performed using a single low-voltage supply. Upon power-up, the device defaults to read array mode. The main memory array is divided into uniform blocks that can be erased independently so that valid data can be preserved while old data is purged. An on-chip program/erase controller simplifies the process of programming or erasing the memory by taking care of all special operations required to update the memory contents. The end of a PROGRAM or ERASE operation can be detected and any error condition can be identified. The command set required to control the device is consistent with JEDEC standards. The M29EW supports asynchronous random read and page read from all blocks of the array. It also features an internal program buffer that improves throughput by programming 256 words via one command sequence.
  • Asynchronous random or page read
  • Page access - 25ns
  • Buffer program - 256-word MAX program buffer
  • Program/erase controller - embedded byte/word program algorithms
  • Program/erase suspend and resume capability
  • READ operation on another block during a PROGRAM SUSPEND operation
  • READ or PROGRAM operation on one block during an ERASE SUSPEND operation on another block
  • BLANK CHECK operation to verify an erased block
  • Unlock bypass, block erase, chip erase and write to buffer capability
  • Fast buffered/batch programming
  • Fast block and chip erase
  • VPPH voltage on VPP to accelerate programming performance
  • Protects highest/lowest block or top/bottom two blocks
  • Software protection
  • Extended memory block
  • Program or lock implemented at the factory or by the customer
  • Low-power consumption - standby mode
  • 65nm Single-bit cell process technology

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника
Производитель: Micron Technology, Inc.
Номер по каталогу производителя
JR28F064M29EWLA.
Линейка Продукции
3V Parallel NOR Flash Memories
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
85°C
Количество Выводов
48вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов
Минимальное Напряжение Питания
2.7В
Максимальное Напряжение Питания
3.6В
Размер Памяти
64Мбит
Тактовая Частота
-
Тип Интерфейса ИС
Параллельный
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
TSOP
Время Доступа
70нс
Тип Flash Памяти
Параллельная NOR
Конфигурация Флэш-памяти
8М x 8бит
полное описание

3 €

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Микросхемы и комплектующие JR28F064M29EWLA. от Micron Technology, Inc. оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Микросхемы и комплектующие JR28F064M29EWLA. оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Микросхемы и комплектующие JR28F064M29EWLA. формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Микросхемы и комплектующие JR28F064M29EWLA. от Micron Technology, Inc. и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.