Infineon launches a GaN enhancement mode high electron mobility transistor (e‑mode HEMT) portfolio with industry‑leading field performance, enabling rugged and reliable systems at an attractive overall system cost. CoolGaN™ transistors are built with the most reliable GaN technology and are tailor‑made to deliver the market's highest efficiency and density levels in switched mode power supplies. The application‑based qualification approach extends beyond that of other GaN products in the market.
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Микросхемы и комплектующие IGT60R190D1SATMA1 от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Микросхемы и комплектующие IGT60R190D1SATMA1 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Микросхемы и комплектующие IGT60R190D1SATMA1 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Микросхемы и комплектующие IGT60R190D1SATMA1 от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru