Gallium Nitride (GaN) Transistor , Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole
650 V, 50 mR Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device that combines Nexperia's state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies offering superior reliability and performance. Typical applications include Hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totem pole PFC, PV and UPS inverters and servo motor drives.
Ultra-low reverse recovery charge
Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
Robust gate oxide (±20 V capability)
High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Микросхемы и комплектующие GAN063-650WSAQ от Nexperia оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Микросхемы и комплектующие GAN063-650WSAQ оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Микросхемы и комплектующие GAN063-650WSAQ формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Микросхемы и комплектующие GAN063-650WSAQ от Nexperia и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru