Микросхемы и комплектующие FDME410NZT

Силовой МОП-транзистор , N Канал, 20 В, 7 А, 0.019 Ом, µFET, Surface Mount

The FDME410NZT is a single N-channel MOSFET designed using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) @ VGS = 1.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for Li-ion battery pack, base band switch and load switch applications.

Halogen-free
>1800V HBM ESD protection level

Области применения

Управление Питанием, Промышленное

Производитель: Onsemi

Номер по каталогу производителя

FDME410NZT

Линейка Продукции

Максимальная Рабочая Температура

150°C

Стандарты Автомобильной Промышленности

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Полярность Транзистора

N Канал

Рассеиваемая Мощность

2.1Вт

Стиль Корпуса Транзистора

µFET

Непрерывный Ток Стока

7А

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.019Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

700мВ

Transistor Mounting

Surface Mount

полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!

Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!

Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.

Описание

Купить Микросхемы и комплектующие FDME410NZT от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Микросхемы и комплектующие FDME410NZT оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Микросхемы и комплектующие FDME410NZT формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Микросхемы и комплектующие FDME410NZT от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru

Популярные в разделе

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

    
			Микросхемы и комплектующие FF900R12IE4PBOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор , Dual [Half Bridge], 900 А, 1.7 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module

				Микросхемы и комплектующие
	
FF900R12IE4PBOSA1

		589.82 €	

			Микросхемы и комплектующие FF450R33T3E3BPSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор , Dual [Half Bridge], 450 А, 2.5 В, 150 °C, Module

				Микросхемы и комплектующие
	
FF450R33T3E3BPSA1

					по запросу
			
			Микросхемы и комплектующие FF450R33T3E3B5BPSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор , Dual [Half Bridge], 450 А, 2.5 В, 150 °C, Module

				Микросхемы и комплектующие
	
FF450R33T3E3B5BPSA1

					по запросу
			
			Микросхемы и комплектующие FF450R12ME7B11BPSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор , Dual, 450 А, 1.5 В, 175 °C, Module

				Микросхемы и комплектующие
	
FF450R12ME7B11BPSA1

		191.25 €

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

Микросхемы и комплектующие FDME410NZT

Области применения

Цена по запросу

Уважаем вашу конфиденциальность

Настройка cookie