The 1N5822G is a 2-pin 40V general purpose Schottky Barrier Rectifier features an epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. The Schottky rectifier employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. It has state-of-the-art geometry. It is ideally suited for use as rectifier in low-voltage, high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
Extremely low vF
Low power loss/high efficiency
Low stored charge, majority carrier conduction
Cathode indicated by polarity band
Области применения
Промышленное, Автоматизация и Управление Процессами, Обработка Сигнала
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Микросхемы и комплектующие 1N5822G от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Микросхемы и комплектующие 1N5822G оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Микросхемы и комплектующие 1N5822G формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Микросхемы и комплектующие 1N5822G от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru