The STGE200NB60S is a N-channel low drop PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (at maximum frequency of 1kHz).
High input impedance (voltage driven)
Low on-voltage drop (Vcesat)
Off losses include tail current
Low gate charge
High current capability
Области применения
Привод Двигателя и Управление, Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы STGE200NB60S от ST Microelectronics оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы STGE200NB60S оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы STGE200NB60S формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы STGE200NB60S от ST Microelectronics и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru