The STGD5NB120SZT4 is a 1200V Low Drop Internally Clamped IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in inrush current limitation and pre-heating for electronic lamp ballast. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
Low on-voltage drop
High current capability
Off losses include tail current
High voltage clamping, low VCE (sat) for reduced conduction losses
Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы STGD5NB120SZT4 от ST Microelectronics оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы STGD5NB120SZT4 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы STGD5NB120SZT4 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы STGD5NB120SZT4 от ST Microelectronics и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru