Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
IRGPS40B120UPBF

IGBT транзисторы IRGPS40B120UPBF

БТИЗ транзистор , 80 А, 3.5 В, 595 Вт, 1.2 кВ, TO-274AA, 3 вывод(-ов)
The IRGPS40B120UPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor features non-punch through IGBT technology and excellent current sharing in parallel operation.
  • Square RBSOA
  • Positive VCE (on) temperature coefficient
  • Rugged transient performance
  • Low EMI
  • Significantly less snubber required
  • 10µs Short-circuit capability

Области применения

Потребительская Электроника, Техническое Обслуживание и Ремонт, Управление Питанием

Производитель: Infineon Technologies AG
Номер по каталогу производителя
IRGPS40B120UPBF
Линейка Продукции
-
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
-
DC Ток Коллектора
80А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
3.5В
Рассеиваемая Мощность
595Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
TO-274AA
полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRGPS40B120UPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRGPS40B120UPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRGPS40B120UPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRGPS40B120UPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.