The IRGP20B120U-EP is an Insulated Gate Bipolar Transistor features ultrafast non-punch through (NPT) technology and excellent current sharing in parallel operation. It is optimized for welding, UPS and induction heating applications.
Square RBSOA
Positive VcE(m) temperature coefficient
Benchmark efficiency above 20kHz
Rugged with ultrafast performance
Low EMI
Significantly less snubber required
Excellent current sharing in parallel operation
Longer leads for easier mounting
10µs Short-circuit capability
Области применения
Техническое Обслуживание и Ремонт, Управление Питанием, ОВКВ, Потребительская Электроника
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRGP20B120U-EP от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRGP20B120U-EP оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRGP20B120U-EP формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRGP20B120U-EP от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru