The IRGB6B60KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and ultra-soft diode reverse recovery characteristics.
Low diode VF
Square RBSOA
Positive VCE (on) temperature coefficient
Rugged transient performance
Low EMI
Excellent current sharing in parallel operation
10µs Short-circuit capability
Области применения
Привод Двигателя и Управление, Потребительская Электроника, Освещение, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRGB6B60KDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRGB6B60KDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRGB6B60KDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRGB6B60KDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru