The IRG4RC10SDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. Minimizes power dissipation at up to 3kHz PWM frequency in inverter drives, up to 4kHz in brushless DC drives. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBT. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
Tight parameter distribution
High efficiency
Optimized for specific application conditions
Lower losses than MOSFET's conduction and diode losses
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4RC10SDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4RC10SDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4RC10SDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4RC10SDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru