The IRG4PSH71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The ultrafast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations.
Creepage distance increased to 5.35mm
High efficiency
Maximum power density
Optimized for specific application conditions
HEXFRED™ anti-parallel diode minimizes switching losses and EMI
Области применения
Альтернативаня Энергия, Техническое Обслуживание и Ремонт, Управление Питанием
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4PSH71UDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4PSH71UDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4PSH71UDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4PSH71UDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru