The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
Creepage distance increased to 5.35mm
High efficiency
Maximum power density
Optimized for specific application conditions
HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs
Области применения
Альтернативаня Энергия, Управление Питанием, Техническое Обслуживание и Ремонт, Привод Двигателя и Управление Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4PSC71UDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4PSC71UDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4PSC71UDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4PSC71UDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru