IRG4PF50WDPBF является БТИЗ 900В (20 - 100кГц) с диодом крайне быстрого восстановления для импульсного источника питания, сварки и устройств с ПТК. Новейшее поколение БТИЗ обеспечивают более жесткие параметры распределения и превосходную надежность. Низкие потери проводимости и минимальная рекомбинация несущей являются отличным вариантом для переключения резонансного режима (до >100кГц). Диоды HEXFRED были оптимизированы и используются в мостовых конфигурациях.
Уменьшение параметра Eoff на 50%
Более низкие коммутационные потери обеспечивают большую эффективность при замене МОП-транзистора до 100кГц
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4PF50WDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4PF50WDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4PF50WDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4PF50WDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru