The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
±20V Gate-emitter voltage
Области применения
Привод Двигателя и Управление Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4PC50FDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4PC50FDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4PC50FDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4PC50FDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru