The IRG4IBC30UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes.
Tighter parameter distribution
Simplified assembly
High efficiency and power density
HEXFRED™ anti-parallel diode minimizes switching losses and EMI
4.8mm Creepage distance to heat sink
Области применения
Освещение, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием, Техническое Обслуживание и Ремонт Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4IBC30UDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4IBC30UDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4IBC30UDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4IBC30UDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru