The IRG4BH20K-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor combines low conduction losses with high switching speed. It feature latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. As a freewheeling diode recommend our HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery diodes for minimum EMI/noise and switching losses in the diode and IGBT.
High short-circuit rating
Latest generation 4 IGBT's offer highest power density motor controls possible
Области применения
Потребительская Электроника, Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4BH20K-SPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4BH20K-SPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4BH20K-SPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4BH20K-SPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru