The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.
Combines low conduction losses with high switching speed
Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
Области применения
Привод Двигателя и Управление, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием, Потребительская Электроника, Техническое Обслуживание и Ремонт Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4BC30KDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4BC30KDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4BC30KDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4BC30KDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru