The IRG4BC10UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating up to 80kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation. IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
High efficiency
Области применения
Освещение, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы IRG4BC10UDPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы IRG4BC10UDPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы IRG4BC10UDPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы IRG4BC10UDPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru