Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
HGTG30N60A4

IGBT транзисторы HGTG30N60A4

БТИЗ транзистор , 75 А, 2.6 В, 463 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
The HGTG30N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and low on state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications.
  • Low saturation voltage
  • Low conduction losses due to low on-state resistance
  • 58ns fall time at 125°C junction temperature

Области применения

Управление Питанием, Промышленное
Производитель: Onsemi
Номер по каталогу производителя
HGTG30N60A4
Линейка Продукции
-
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
-
DC Ток Коллектора
75А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.6В
Рассеиваемая Мощность
463Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
полное описание

2.91 €

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить IGBT транзисторы HGTG30N60A4 от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить IGBT транзисторы HGTG30N60A4 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на IGBT транзисторы HGTG30N60A4 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
IGBT транзисторы HGTG30N60A4 от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.