F-RAM FM28V100-TG

NVRAM , FRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, Параллельный, 60 нс, TSOP

FM28V100-TG является энергонезависимой памятью F-RAM 1МБ, которая осуществляет процессы считывания и записи аналогично стандартной памяти SRAM. Энергонезависимая FRAM способна хранить данные даже после отключения питания. Она обеспечивает хранение данных на протяжении более 151 года, устраняя проблемы надежности, функциональные недостатки и сложности проектирования систем SRAM с питанием от батареи. Быстрая синхронизация записи и высокая выносливость записи делают память FRAM лучше других типов памяти. Принцип работы FM28V100 аналогичен другим устройствам памяти RAM, и ее можно использовать в качестве прямой замены стандартной памяти SRAM в системе. Циклы чтения и записи могут запускаться при активации чипа или путем изменения адреса. Память F-RAM является энергонезависимой благодаря уникальному процессу сегнетоэлектрической памяти. Эти функции делают FM28V100 идеальной для устройств с энергонезависимой памятью, которым требуется частые или быстрые процессы записи.

• Высокий уровень выносливости 100 трлн циклов чтения
• записи
• Запись NoDelay™
• Режим работы страниц с временем цикла 30нс
• Усовершенствованный сегнетоэлектрический процесс высокой надежности
• Совместимость с SRAM
• Лучше, чем модули SRAM с батарейным питанием
• Отсутствие проблем с батареями
• Монолитная надежность
• Решение поверхностного монтажа, без шагов ремонта

• Превосходные характеристики стойкости к влаге, ударам и вибрациям
• Низкое энергопотребление

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Переносные Устройства