Энергонезависимая память M45PE16-VMW6G.

Флеш память , NOR, Последовательная NOR, 16 Мбит, 2М x 8бит, SPI, WSOIC, 8 вывод(-ов)

M45PE16-VMW6G является последовательной памятью NOR Flash 16МБ с доступом через высокоскоростную, SPI-совместимую шину. Память может быть записана или запрограммирована (1 - 256 байт за раз) с помощью команд записи страниц и программирования страницы. Команда записи страницы состоит из интегрированного цикла стирания страницы, за которым следует цикл программирования страницы. Память состоит из 32 секторов по 256 страниц Каждая страница 256 байт. Таким образом, вся память состоит из 8192 страниц или 2097152 байтов. Стирание памяти осуществляться по страницам или по секторам, используя соответствующие команды.

• Аппаратная защита от записи нижней области памяти 64КБ
• Электронная подпись - JEDEC стандарт, подпись 2 байта (4015ч)
• Режим глубокого понижения энергопотребления 1мкА (типичное значение)
• >100000 циклов записи на сектор
• Удержание данных >20 лет

Области применения

Связь и Сеть