Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
STGWT80H65DFB

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGWT80H65DFB

БТИЗ транзистор , 120 А, 1.6 В, 469 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов)

Производитель: ST Microelectronics
Номер по каталогу производителя
STGWT80H65DFB
Линейка Продукции
HB Series
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
DC Ток Коллектора
120А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.6В
Рассеиваемая Мощность
469Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-3P
полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGWT80H65DFB от ST Microelectronics оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGWT80H65DFB оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGWT80H65DFB формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGWT80H65DFB от ST Microelectronics и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
0