Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGB10M65DF2

БТИЗ транзистор , 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Производитель: ST Microelectronics

Номер по каталогу производителя

STGB10M65DF2

Линейка Продукции

Максимальная Рабочая Температура

175°C

Стандарты Автомобильной Промышленности

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

DC Ток Коллектора

20А

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.55В

Рассеиваемая Мощность

115Вт

Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263 (D2PAK)

полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!

Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!

Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.

Описание

Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGB10M65DF2 от ST Microelectronics оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGB10M65DF2 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGB10M65DF2 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGB10M65DF2 от ST Microelectronics и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru

Популярные в разделе

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

    
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW30N60T

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IHW30N60T

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SGW25N120

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	SGW25N120

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW30N120R3FKSA1

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IHW30N120R3FKSA1

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW20N135R5XKSA1
БТИЗ транзистор , 40 А, 1.65 В, 288 Вт, 1.35 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IHW20N135R5XKSA1

		по запросу

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во