The NGTG50N60FLWG is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and Trench construction, provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss.
Low saturation voltage using Trench with field-stop technology
Low switching loss - Reduces system power dissipation
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGTG50N60FLWG от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGTG50N60FLWG оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGTG50N60FLWG формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGTG50N60FLWG от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru