Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
IXDN75N120

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXDN75N120

БТИЗ массив и модульный транзистор , Single, 150 А, 2.2 В, 660 Вт, 150 °C, SOT-227B
Производитель: IXYS
Номер по каталогу производителя
IXDN75N120
Линейка Продукции
-
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
IGBT Configuration
Single
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
150А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.2В
Рассеиваемая Мощность
660Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Максимальная Температура Перехода Tj
150°C
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-227B
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
полное описание

24.27 €

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXDN75N120 от IXYS оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXDN75N120 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXDN75N120 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXDN75N120 от IXYS и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.