The IRGP4266DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features high efficiency in a wide range of applications and excellent current sharing in parallel operation.
Low VCE(ON) and switching losses
Square RBSOA
Positive VCE (ON) temperature coefficient
Rugged transient performance
Increased reliability
5.5µs Short-circuit SOA
Области применения
Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием, Альтернативаня Энергия, Техническое Обслуживание и Ремонт
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGP4266DPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGP4266DPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGP4266DPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGP4266DPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru