The IRGB4610DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features high efficiency in a wide range of applications and switching frequencies, improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability.
Low VCE (ON) and switch losses
Square RBSOA
Positive VCE (ON) temperature coefficient
Tight parameter distribution
Excellent current sharing in parallel operation
Enables short-circuit protection scheme
Environmentally-friendly
5µs Short-circuit SOA
Области применения
Управление Питанием, Освещение, Альтернативаня Энергия, Потребительская Электроника, Привод Двигателя и Управление Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGB4610DPBF от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGB4610DPBF оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGB4610DPBF формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGB4610DPBF от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru