Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0
IKD06N60RFATMA1

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKD06N60RFATMA1

БТИЗ транзистор , 12 А, 2.2 В, 100 Вт, 600 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)
Производитель: Infineon Technologies AG
Номер по каталогу производителя
IKD06N60RFATMA1
Линейка Продукции
TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
DC Ток Коллектора
12А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.2В
Рассеиваемая Мощность
100Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252 (DPAK)
полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKD06N60RFATMA1 от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKD06N60RFATMA1 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKD06N60RFATMA1 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKD06N60RFATMA1 от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru
Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
0
Добро пожаловать!

Благодарим за посещение нашего ресурса.