Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW40N60R

БТИЗ транзистор , 40 А, 2.4 В, 305 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Powerful monolithic body diode with low forward voltage
Very tight parameter distribution
Highly rugged, temperature stable behaviour
Low Saturation Voltage
Easy parallel switching capability
Low EMI

Производитель: Infineon Technologies AG

Номер по каталогу производителя

IHW40N60R

Линейка Продукции

Максимальная Рабочая Температура

175°C

Стандарты Автомобильной Промышленности

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

DC Ток Коллектора

40А

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

2.4В

Рассеиваемая Мощность

305Вт

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!

Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!

Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.

Описание

Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW40N60R от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW40N60R оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW40N60R формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW40N60R от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru

Популярные в разделе

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

    
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW40N60RF

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IHW40N60RF

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKB10N60TATMA1
БТИЗ транзистор , 24 А, 1.5 В, 110 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IKB10N60TATMA1

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKA15N65F5XKSA1
БТИЗ транзистор , 15 А, 1.6 В, 33.3 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IKA15N65F5XKSA1

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKA08N65H5

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IKA08N65H5

		по запросу

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во